MOSFET Simulation – CS Amp

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< CS 증폭기 회로 >

.model Mbreakn NMOS(Level=1 VTO=0.7 GAMMA=0.5 PHI=0.8
+LD=0 WD=0 UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.57E-3
+CJSW=120E-12 MJ=0.5 MJSW=0.4 CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9
+CGSO=0.4E-9)
             – Drain에 흐르는 전류: 0.1㎃, Vov =0.3V 조건을 만족하는 W를 계산
사용자 삽입 이미지             => L=0.5 ㎛ 공정이고, VDS값은 3.3V – 0.1㎃ x 10k = 2.3V 를 대입 => W = 5.4024 ㎛
             (커패시터 및 기타 값은 http://downrg.com/entry/MOSFETs-Parameter-Calc 으로 계산.)

             – 3dB 주파수 및 이득 계산
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< 소신호 회로 >

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< Simulation 설정 >
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< Simulation 결과 – 녹색: Full회로, 빨간색: 소신호 회로>

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2 Responses

  1. asdf 댓글:

    1레벨 소자는 어디서 구하셨나요 -_-;;죄다 3레벨인데…ㅎㄷㄷ

    • downright 댓글:

      BREAKOUT 라이브러리 파일에서 MbreakN 또는 MbreakP을 사용합니다.
      그 다음에 “Edit PSplice Model”을 눌러서 직접 특성을 입력해서 사용하시면 됩니다.

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