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MOSFET Simulation - CS Amp

Posted at 2008/08/04 18:58
Filed under 전자 공학/Pspice

< CS 증폭기 회로 >

.model Mbreakn NMOS(Level=1 VTO=0.7 GAMMA=0.5 PHI=0.8
+LD=0 WD=0 UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.57E-3
+CJSW=120E-12 MJ=0.5 MJSW=0.4 CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9
+CGSO=0.4E-9)

- Drain에 흐르는 전류: 0.1㎃, Vov =0.3V 조건을 만족하는 W를 계산

=> L=0.5 ㎛ 공정이고, VDS값은 3.3V - 0.1㎃ x 10k = 2.3V 를 대입 => W = 5.4024 ㎛
(커패시터 및 기타 값은 http://downrg.com/entry/MOSFETs-Parameter-Calc 으로 계산.)

- 3dB 주파수 및 이득 계산