MOSFET Simulation – CS Amp

.model Mbreakn NMOS(Level=1 VTO=0.7 GAMMA=0.5 PHI=0.8
+LD=0 WD=0 UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.57E-3
+CJSW=120E-12 MJ=0.5 MJSW=0.4 CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9
+CGSO=0.4E-9)

             – Drain에 흐르는 전류: 0.1㎃, Vov =0.3V 조건을 만족하는 W를 계산
             => L=0.5 ㎛ 공정이고, VDS값은 3.3V – 0.1㎃ x 10k = 2.3V 를 대입 => W = 5.4024 ㎛
             (커패시터 및 기타 값은 https://downrg.com/entry/MOSFETs-Parameter-Calc 으로 계산.)

             – 3dB 주파수 및 이득 계산