MOSFET Simulation – CS Amp
< CS 증폭기 회로 >
.model Mbreakn NMOS(Level=1 VTO=0.7 GAMMA=0.5 PHI=0.8– Drain에 흐르는 전류: 0.1㎃, Vov =0.3V 조건을 만족하는 W를 계산
+LD=0 WD=0 UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.57E-3
+CJSW=120E-12 MJ=0.5 MJSW=0.4 CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9
+CGSO=0.4E-9)
=> L=0.5 ㎛ 공정이고, VDS값은 3.3V – 0.1㎃ x 10k = 2.3V 를 대입 => W = 5.4024 ㎛(커패시터 및 기타 값은 http://downrg.com/entry/MOSFETs-Parameter-Calc 으로 계산.)
– 3dB 주파수 및 이득 계산
< 소신호 회로 >
< Simulation 설정 >
< Simulation 결과 – 녹색: Full회로, 빨간색: 소신호 회로>
1레벨 소자는 어디서 구하셨나요 -_-;;죄다 3레벨인데…ㅎㄷㄷ
BREAKOUT 라이브러리 파일에서 MbreakN 또는 MbreakP을 사용합니다.
그 다음에 “Edit PSplice Model”을 눌러서 직접 특성을 입력해서 사용하시면 됩니다.